VS23S010



简介

  • VS23S010 是一个易于使用的一兆位 SRAM (1Mbit). 内存可以通过一个标准的 SPI 串行总线来存取, 支持 (1, 2 和 4 位模式) 或通过一个类似于 NAND 闪存的 8080 型 8位并行总线访问. 
  • VS23S010 的主要应用是微控制器的 RAM 扩展. 互联网多媒体应用正变得越来越流行, VS23S010 能提供大缓冲区内存, 使得多媒体数据流播放更为畅顺. 
  • 除了纯粹被用来作为一个记忆存储设备之外, VS23S010 还包含一个模式的生成逻辑, 通过 SPI 总线访问 VS23S010 的内存时, 它可以通过 4个并行总线引脚同步输出一个重复的内存数据模式, 此功能大大降低了微控制器中需要定期从内存输出的应用程序的计算要求, 如视频帧缓冲. 

 

特性

  • 1.5V - 3.6V 宽工作电压 
  • 131,072 × 8位的内存结构 
  • 串行外设接口 (SPI) 兼容 
  • SPI 运行模式 
  • 字节读和写 
  • 顺序模式 
  • XHOLD 和 XWP 引脚 
  • 支持单路, 双路和四路输入读取和写入 
  • 快速操作: 可以在 262176 周期内填写或读取整个内存 (4个 I/O SPI) 
  • 8位并行接口 (简单 8080 和 NAND 闪存的类型接口) 
  • 连续 4个字节的块读取和写入 
  • 快速操作, 可以在 131076 个周期内填写整个内存和在 131077 个周期内读取整个内存 
  • 集成模式发生器 
  • 4位和 2位输出模式 
  • 可配置帧长度 
  • IRQ 输出同步 
  • 高运行频率 
  • SPI 高达 36MHz  
  • 超过48 MHz 的模式发生器 
  • 当模式发生器启用时,SPI 为 FMCLK/3 MHz 
  • 15 MHz 的 8位并行接口 
  • 低功耗 CMOS 技术 
  • 工业温度范围从 -40°C 至 +85°C  
  • 读取在1Mbit (SO=0, TA=+25°C 和 VDD=3.3V), 电流 130μA  
  • 待机电流 35μA (TA=25°C, VDD=3.3V) 

 

 

结构图

vs23s010

 

封装

vs23s010
SOIC16
 

下载

 数据手册